завод "Эльтав"

БСИТ (Биполярный транзистор со статической индукцией, Bipolar Static Induction Transistor)- транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом со статической индукцией. Предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и в других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовых корпусах.

Наимен. изделий

N ТУ

Pрасс. (Вт)

Тип канала

Тип корпуса

КП 810 А/ Б/ В

АДБК 432 150.375 ТУ

50

n

ТО-218 (КТ-43-2)
КП 946 А/ Б АДБК 432 150.183 ТУ

40

n

 ТО-220 (КТ-28-2)
КП 948 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.203 ТУ

20

n

 ТО-220 (КТ-28-2)
КП 953 А/ Б/ В/ Г/ Д АДБК 432 140.347 ТУ

50

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
КП 954 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 140.348 ТУ

40

n

 ТО-220 (КТ-28-2)
КП 955 А/ Б АДБК 432 140.349 ТУ

70

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
КП 956 А/ Б АДБК 432 140.350 ТУ

10

n

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 957 А/ Б/ В АДБК 432 140.351 ТУ

10

n

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 958 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.376 ТУ

70

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
КП 959 А/ Б/ В АДБК 432 150.377 ТУ

7

n

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 960 А/ Б/ В АДБК 432 150.378 ТУ

7

p

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 961 А/ Б/ В/ Г/ Д/ Е АДБК 432 150.379 ТУ

10

n

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 964 А/ Б/ В/ Г АДБК 432 150.438 ТУ

40

p

 ТО-220 (КТ-28-2)
КП 965 А/ Б/ В/ Г/ Д/ Е АДБК 432 150.439 ТУ

10

n

 ТО-126 (КТ-27-2)
КП 971 А/ Б  

100

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
КП 972 А/ Б  

100

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
КП 973 А/ Б  

100

n

 ТО-218 (КТ-43-2)
ТО-218 Цоколевка корпуса   ТО-218
ТО-220		 ТО-126

Графическое изображение БСИТ
1-затвор
2-сток
3-исток		 1-исток
2-сток
3-затвор

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БСИТ

Наимен.
БСИТ

Ic max
пост.
(А)

UcиR
max
(B)

UcиО
(B)

Uси нас (В)

Iиз ут
Uзи=4В
(мА)

tрасс
(мкс)
(тип)

Режим

Значение

Ic

Iз
КП 810 А
Б
В		 7
7
5		 1500
1300
1000		 650
650
700		 2А
2А
5А		 0.4А
0.4А
1А		 0.40
0.40
1.00		 0.5
0.5
0.5		 2.1
2.1
2.1
КП 946 А
Б		 15
15		 500
500		 400
200		 7А
7А		 1А
1А		 0.70
0.70		 0.5
0.5		 0.7
0.7

КП 948 А
Б
В
Г

5
5
5
5

800
800
700
600

400
300
370
250

2А
2А
2А
2А

0.4А
0.4А
0.4А
0.4А

0.30
0.30
0.30
0.30

0.5
0.5
0.5
0.5

1.3
1.3
1.3
1.3

КП 953 А
Б
В
Г
Д

15
15
15
15
15

800
800
700
600
800

450
300
450
300
450

7.5А
7.5А
7.5А
7.5А
7.0А

1.5А
1.5А
1.5А
1.5А
1.0А

0.45
0.45
0.45
0.45
0.45

0.5
0.5
0.5
0.5
0.5

2.0
2.0
2.0
2.0
2.0

КП 954 А
Б
В
Г

20
20
20
20

150
100
60
20

80
50
40
20

10А
10А
10А
10А

0.5А
0.5А
0.5А
0.5А

0.30
0.30
0.25
0.25

 0.30
0.30
0.30
0.30		 0.30
0.30
0.30
0.30

КП 955 А
Б

 20
20		 700
450		 450
200		 15А
15А		 3А
3А		 0.60
0.60		 0.5
0.5		 1.2
1.2
КП 956 А
Б		 2
2		 450
450		 350
200		 0.5А
0.5А		 50mA
50mA		 0.30
0.30		 0.1
0.1		 0.8
0.8

КП 957 А
Б
В

1
1
1

800
800
700

400
300
400

0.5А
0.5А
0.5А

0.1А
0.1А
0.1А

0.40
0.40
0.40

0.1
0.1
0.1

0.7
0.7
0.7

КП 958 А
Б
В
Г

30
30
30
20

150
100
60
20

80
60
40
20

10А
10А
10А
10А

0.2А
0.2А
0.2А
0.2А

0.20
0.20
0.20
0.20

0.5
0.5
0.5
0.5

0.5
0.5
0.5
0.5
КП 959 А
Б
В		 0.2
0.2
0.2		 300
250
200		 220
200
120		 7mA
7mA
7mA		 1mA
1mA
1mA		 0.40
0.40
0.40		 0.02
0.02
0.02		  
КП 960 А
(p-канал) Б
В		 0.2
0.2
0.2		 300
250
200		 220
200
120		 7mA
7mA
7mA		 1mA
1mA
1mA		 0.40
0.40
0.40		 0.02
0.02
0.02		  

КП 961 А
Б
В
Г
Д
Е

5
5
5
5
5
5

250
160
120
60
20
10

120
80
60
40
20
10

4А
4А
4А
4А
4А
0.5А

0.4А
0.4А
0.4А
0.4А
0.4А
2mА

0.65
0.55
0.45
0.40
0.40
0.40

0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05

0.18
0.18
0.18
0.18
0.18
0.18
КП 964 А
(p-канал) Б
В
Г		 20
20
20
20		 150
100
60
20		 80
60
25
15		 10А
10А
10А
10А		 1А
1А
1А
1А		 0.30
0.30
0.25
0.25		 0.3
0.3
0.3
0.3		 0.5
0.5
0.5
0.5
КП 965 А
(p-канал) Б
В
Г
Д

5
5
5
5
5

250
160
120
60
20

140
100
80
50
20

0.5А
0.5А
0.5А
0.5А
0.5А

2.5mА
2.5mА
2.5mА
2.5mА
2.5mА

0.40
0.30
0.30
0.20
0.20

0.05
0.05
0.05
0.05
0.05

0.18
0.18
0.18
0.18
0.18

КП 971 А
Б

25
25

900
800

600
450

15А
15А

3А
3А

0.60
0.60

0.5
0.5

2.5
2.0
КП 972 А 40 150            

КП 973 А
Б

30
30

700
600

400
400

20А
20А

4А
4А

0.60
0.80

0.5
0.5

2.0
2.0

ОСОБЕННОСТИ

ТРЕБОВАНИЯ К НАДЕЖНОСТИ

БСИТ представляет собой транзистор со статической индукцией с нормально закрытым вертикальным каналом при нулевом смещении на затворе. Конструкция кристалла при обобщенном рассмотрении представляет собой предельный вариант обычного биполярного транзистора с обедненной базой. БСИТ работает при прямом смещении на затворе, и физика его работы близка к физике работы обычных биполярных транзисторов, однако в силу конструктивных особенностей имеет ряд преимуществ:

Кристалл транзистора за счет более высокой удельной плотности рабочего тока имеет площадь в 1.5-2 раза меньше, чем биполярный транзистор с аналогичными характеристиками, что также определяет экономическое преимущество в производстве. Перспективно дальнейшее улучшение параметров транзистора за счет использования вместо диффузионного затвора- затвора Шоттки.

Основное назначение транзисторов- применение в схемах высокочастотных источников электропитания и других быстродействующих ключевых схемах радиоаппаратуры. При применении БСИТ в ключевых схемах, учитывая высокую скорость нарастания и спада сигналов, для управления необходимо применять также быстродействующие транзисторы (желательно БСИТ).

завод "Эльтав"